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标题:IXYS艾赛斯IXA4IF1200TC-TRL功率半导体XPT IGBT DISCRETE的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业中的地位日益重要。IXYS艾赛斯公司作为全球领先的功率半导体供应商,其IXA4IF1200TC-TRL功率半导体XPT IGBT DISCRETE在许多关键领域发挥着关键作用。本文将详细介绍IXYS艾赛斯IXA4IF1200TC-TRL功率半导体XPT IGBT DISCRETE的技术和方案应用。 首先,让我们了解一下IXYS艾赛斯IX
标题:Infineon(IR) IKD06N60RFATMA1功率半导体IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3的技术和应用介绍 Infineon(IR)的IKD06N60RFATMA1功率半导体IGBT,以其独特的TRENCH/FS 600V 12A TO252-3设计,在电力电子领域中发挥着重要的作用。这款IGBT的特点在于其高效率、高可靠性以及低热阻,使其在各种应用场景中都表现出色。 首先,IKD06N60RFATMA1的TRENCH/FS技术使得其具有更高的热导率
标题:IXYS艾赛斯IXYP8N90C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术背景 IXYS艾赛斯公司生产的IXYP8N90C3D1功率半导体IGBT,是一款适用于各种工业和电子设备的节能解决方案的功率元件。IXYS艾赛斯公司凭借其深厚的专业技术,成功地研发出这款具有高效率和可靠性的功率元件。 二、产品特点 IXYP8N90C3D1功率半导体IGBT的主要特点包括:900V的电压规格,20A的电流容量,以及高达125W的功率输出。此外,其TO-220的封装形式提供了良好的热传导性能,确
标题:Infineon(IR) IRGB4715DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个领域,Infineon(IR)的IRGB4715DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE技术以其卓越的性能和可靠性,得到了广泛的应用。 IRGB4715DPBF是一种高性能的功率半导体IGBT,它结合了Infineon(IR)的创新技术,具有高效率和低损耗的特点