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标题:IXYS艾赛斯IXBH9N160G功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司以其卓越的IXBH9N160G功率半导体IGBT,为工业和电子设备领域提供了高效且可靠的解决方案。这款IGBT的特点是1600V、9A、100W的功率规格,以及TO247AD的封装形式。 首先,让我们来了解一下IXYS艾赛斯IXBH9N160G功率半导体IGBT的技术特点。这款IGBT采用了先进的生产工艺,具有高耐压、大电流和大功率的特点。它采用TO247AD封装形式,这种封装形式提供了良好的散热性能,
标题:Infineon(IR) AIGW50N65F5XKSA1功率半导体IGBT 650V TO247-3的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的AIGW50N65F5XKSA1是一款高性能的650V TO247-3封装结构的IGBT功率半导体。这款器件以其出色的性能和广泛的应用领域,在电力电子领域中占据着重要的地位。 首先,从技术角度看,AIGW50N65F5XKSA1 IGBT具有高饱和电压、低损耗、高可靠性和高效率等特点。其工作温度范围宽,能在各种恶劣环境下稳定工作,适用于各种
标题:IXYS艾赛斯IXBH5N160G功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXBH5N160G功率半导体IGBT是一款高效、可靠的功率电子设备,其额定电压为1600V,电流容量为5.7A,功率为68W。TO247AD封装使得这款IGBT在小型化、轻量化方面具有显著优势,使其在许多工业和消费电子产品中得以广泛应用。 二、技术特点 IXBH5N160G功率半导体IGBT的主要技术特点包括高耐压、高电流容量、低导通电阻以及高开关速度。这些特性使得它在高功率应用中表现出色,