标题：Infineon(IR) IKZ50N65EH5XKSA1功率半导体IGBT：650V 50A CO-PACK TO-247-4的应用介绍 随着科技的不断进步，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKZ50N65EH5XKSA1功率半导体IGBT，作为一种重要的功率电子器件，具有很高的应用价值。本文将围绕这款器件的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 IKZ50N65EH5XKSA1采用Infineon(IR)独特的CO-PACK封装技术，这种封装技术具
标题：IXYS艾赛斯IXYX25N250CV1HV功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYX25N250CV1HV功率半导体IGBT是一款高效能的2500V，235A IGBT模块，具备PLUS247的技术与方案，广泛应用于各种电力转换和电子设备中。 二、技术特点 1. 高压性能：IXYS艾赛斯IXYX25N250CV1HV IGBT模块在高压环境下仍能保持高效率和高可靠性，适用于各种需要大电流转换的设备。 2. 散热设计：模块采用高效的散热设计，确保在长时间运行中仍能
标题：Infineon(IR) IGW75N60TFKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IGWT75N60TFKSA1是一种优秀的功率半导体IGBT，其在TRENCH/FS 600V 150A TO247-3的设计下，为各类电子设备提供了强大的能源转换和传输功能。 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种复合型电力电子器件，具有较高的开关速度和热稳定性
预计2023年碳化硅SiC功率元器件市场产值将突破22亿美元
2024-05-123月9日消息，TrendForce集邦咨询今日发布报告称，随着安森美、意法半导体、英飞凌等与汽车、能源厂商合作项目明朗化，将推动2023年整体碳化硅SiC功率元器件市场产值达22.8亿美元（当前约158.69亿元人民币），同比增长41.4%。 报告指出，第三代半导体包括碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），整体产值又以SiC占80%为重。SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。TrendForce集邦咨询表示，SiC功率元件的前两大应用为电动汽车与再生能源领
标题：IXYS艾赛斯IXYX120N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的快速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYX120N120C3功率半导体IGBT，作为一种重要的功率电子器件，在各种高电压、大电流的场合发挥着重要的作用。本文将介绍IXYS艾赛斯IXYX120N120C3功率半导体IGBT的技术和方案应用。 一、技术特点 IXYS艾赛斯IXYX120N120C3功率半导体IGBT采用了最新的PLUS247技术，具有高耐压、
标题：Infineon(IR) IKW15N120H3FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 Infineon(IR)的IKW15N120H3FKSA1功率半导体IGBT是一种重要的电力电子半导体器件，其采用TRENCH/FS技术，具有高耐压、大电流、高频性能好等特点。该器件的工作电压可达1200V，最大电流为30A，适用于各种需要大电流转换和开关的场合。 二、方案应用 1. 工业电源：IKW15N120H3FKSA1 IGBT可广泛应用于工业电源中，如变频器、电机驱动器等。
标题：IXYS艾赛斯IXBH42N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXBH42N170A功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，其工作电压高达1700V，电流容量为42A，最高功率为357W。这款器件以其出色的性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，如逆变器、变频器、电机驱动等。 二、技术特点 IXBH42N170A IGBT采用了IXYS艾赛斯独特的制造技术，包括高精度工艺、多层薄膜绝缘技术、先进的封装技术等。这些技术的应用，使得该器件具有更高的耐
标题：Infineon(IR) IGW75N65H5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3的技术和应用介绍 Infineon(IR)的IGBT模块IGW75N65H5XKSA1是一款高性能的功率半导体器件，采用TRENCH 650V技术，具有650V/120A的额定值，适用于各种工业和电源应用。 首先，TRENCH技术是Infineon(IR)的一项重要创新，它允许在同一块半导体材料上制造P-type和N-type部分，从而提高了芯片效率和降低了生产成本
标题：IXYS艾赛斯IXXK100N60C3H1功率半导体IGBT 600V 170A 695W TO264的技术和应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXXK100N60C3H1功率半导体IGBT，是一种广泛用于电力转换和控制的电子元件。该型号的IGBT具有600V的额定电压，170A的额定电流，以及高达695W的输出功率。它采用的是TO264封装，这种封装方式具有高散热性能，适合大功率应用环境。 IXXK100N60C3H1 IGBT的技术特点主要包括高耐压，高电流容量，以及低损耗。这些特性