欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:CR Micro(华润微)半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 功率

功率 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXYH16N170C功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXYH16N170C功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,具有1.7KV的绝缘电压和40A的额定电流。这款IGBT在工业、电力电子和可再生能源领域具有广泛的应用前景。 首先,我们来了解一下IXYS IXYH16N170C的特性。这款IGBT采用了TO247封装,具有高效率和良好的热稳定性。绝缘电压达到1.7KV,意味着它能够承受较高的电压,减少了电击和短路的风险。额定电流为40A,意味
标题:Infineon(IR) IKQ75N120CS6XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,而功率半导体器件作为电力电子技术的核心,其性能和选型也变得越来越重要。今天,我们将详细介绍一款具有代表性的功率半导体器件——Infineon(IR)的IKQ75N120CS6XKSA1 IGBT。 IKQ75N120CS6XKSA1是一款1200V 75A TO-247-3-46封装的IGBT。这款器件采用Infineon(IR)独特的技术,
随着科技的飞速发展,半导体产业在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个领域中,士兰微以其卓越的产品质量和创新的技术,赢得了广泛的赞誉。特别是在功率管理方面,士兰微的半导体产品展现出了许多独特之处。 首先,士兰微的半导体产品在设计和制造过程中,充分考虑了节能和效率。他们的产品不仅具有高效能,而且功耗低,能够满足现代电子设备对节能的迫切需求。这使得士兰微的半导体产品在各类电子设备中,如智能手机、电视、电脑等,都得到了广泛的应用。 其次,士兰微的半导体产品具有出色的可靠性和稳定性。他们采用先
标题:IXYS艾赛斯IXXH30N60B3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXXH30N60B3D1功率半导体IGBT是一种重要的电子元件,其具有高效、节能、环保等特点,广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍IXXH30N60B3D1的特性和应用方案。 一、技术特性 IXXH30N60B3D1功率半导体IGBT是一款具有高电压、大电流特性的产品。它能够在600V的电压下,实现60A的电流输出,其最大功率可以达到270W。此外,该产品还具有低导通电阻、高开关速度、高可
标题:Infineon(IR) IKW40N120T2FKSA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、技术概述 Infineon(IR)的IKW40N120T2FKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT,其工作电压为1200V,最大电流为75A,总功率为480W。这款IGBT采用了先进的TO247-3封装形式,具有高耐压、大电流、高效率等特点,适用于各种工业和电源应用。 二、方案应用 1. 电源系统:IKW40N120T2FKSA1可以作为电源系统的主开关元件,具有较长的使用寿命和较高的
标题:IXYS艾赛斯IXYP50N65C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXYP50N65C3功率半导体IGBT是一款650V 130A 600W的功率器件,其广泛应用在各种电子设备中,如UPS电源、电源模块、变频器、电机驱动器、风能与太阳能逆变器等。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYP50N65C3的IGBT技术。这款器件采用TO-220金属封装,具有高热导率,能够快速有效地散发热量。此外,它还采用了先进的工艺技术,具有高饱和电压和低静态电流等特性,这使得
标题:Infineon(IR) IKW75N60TFKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业中的地位日益重要。在这个领域,Infineon(IR)的IKW75N60TFKSA1功率半导体IGBT以其卓越的性能和可靠性,成为了业界的佼佼者。 IKW75N60TFKSA1是一款具有TRENCH/FS技术的600V 80A TO247-3封装的IGBT。这款器件具有高开关速度、低导通压降和优良的温度性能,使其在各种高功率应用中发挥重要作用。 首先,TREN
随着电力电子技术的不断发展,功率半导体器件在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。IXYS艾赛斯公司作为一家专业从事功率半导体器件研发和生产的企业,其IXEL40N400功率半导体IGBT在市场上备受关注。本文将介绍IXEL40N400的特点、技术参数、应用方案以及优势。 一、产品概述 IXEL40N400是一种采用IXYS艾赛斯ISOPLUSI5技术的N沟道绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件具有高输入阻抗、低导通压降和快开关特性,适用于各种工业应用,如电机驱动、电源转换、变频器等。 二、
标题:Infineon(IR) IKW40N120H3FKSA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、技术概述 Infineon(IR)的IKW40N120H3FKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT,其工作电压为1200V,最大电流为80A,最大功率为483W。这款IGBT采用了先进的TO247-3封装形式,具有高效率、高可靠性、低热阻等优点。 二、方案应用 1. 电源系统:IKW40N120H3FKSA1适用于各种电源系统,如UPS、太阳能、风能等。通过合理配置该IGBT,可以提高
标题:IXYS艾赛斯IXBH20N360HV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXBH20N360HV功率半导体IGBT是一种重要的电子元件,它在各种电子设备中发挥着至关重要的作用。本文将详细介绍IXBH20N360HV的技术和方案应用。 首先,让我们来了解一下IXBH20N360HV的技术特点。该器件采用IXYS公司特有的封装技术,确保了其优秀的散热性能和电气性能。它具有高开关速度、低导通电阻和低栅极电荷等优点,使得其在各种电源和电机控制系统中表现出色。此外,IXB