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SiC 相关话题

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碳化硅(SiC)半导体是一种使用碳化硅材料制成的半导体器件。碳化硅是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体,具有独特的物理和化学性质,使其成为制造高效、高温和抗辐射器件的理想材料。 SiC半导体在电子、电力和能源等领域有广泛应用,主要得益于其高温稳定性、抗辐射性能、高击穿场强、低导通损耗和高热导率等优点。 与传统的硅(Si)半导体相比,SiC半导体的禁带宽度是硅的3倍,击穿场强是硅的8倍,这使得SiC半导体能够承受更高的温度、更强的电场和更强的辐射环境。此外,SiC半导体还具有高载流子迁移率和优良
碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高键合能等优点,在高温、高频、大功率电子器件领域具有广泛的应用前景。然而,SiC半导体也存在一些缺点,下面分别介绍。 优点: 高温稳定性:SiC的禁带宽度较大,可以在高温下保持稳定的性能。因此,SiC器件可以在较高的温度下长期工作,而且在高温下的性能优于硅器件。高功率密度:由于SiC的击穿电场强度高,可承受更高的电压,因此SiC器件可以具有更高的功率密度,体积更小,重量更轻。高速开关频率:SiC的载流子饱和速度高,可以获得
新品 采用2000V SiC M1H芯片的 62mm半桥模块,最大规格2.6mΩ 2000V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市,有2.6mΩ和3.5mΩ两种规格。由于采用了M1H芯片技术,模块在 VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。 这些模块还提供预涂导热界面材料(TIM)版本。 相关产品: ▪️ FF3MR20KM1H(P) 2.6mΩ, 2000V 62mm半桥模块 ▪️ FF4MR20KM1H(P) 3.5mΩ, 2000V 6
在过去的几年中,碳化硅(SiC)产业经历了飞速的发展。本文将分享与SiC产业相关的两件大事。 首先,SiC领域的领军企业Wolfspeed宣布已完成向MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.出售其射频业务。根据交易条款,Wolfspeed获得了约7500万美元的现金(根据惯例购买价格调整)以及711,528股MACOM普通股。按照MACOM的收盘价,这些股票的市值约为6080万美元。据纳斯达克全球精选市场报道,该公司将于2023年12月1日发行普通股。
在过去的几年里,电子行业经历了巨大的变革。曾经是太阳能电池和LED的天下,如今FPD和半导体成为了新的焦点。在这个过程中,中国企业逐渐崭露头角,并在多个领域取得了显著的成绩。 首先,在太阳能电池领域,中国厂商的销售额排名靠前,几乎垄断了整个市场。这得益于中国政府的大力支持和补贴政策,鼓励企业加大投入,提高生产效率,从而在全球市场上占据了有利地位。 其次,LED领域也出现了类似的情况。虽然LED技术不如太阳能电池成熟,但中国企业在这一领域也取得了不俗的成绩。数家公司名列世界排名靠前,成为了日本、
近日,新加坡科学技术研究局(A*STAR)下属研究机构微电子研究所(IME)与德国扩散及退火设备供应商centrotherm International AG达成合作,共同研发8英寸SiC技术。 SiC作为一种具有高能效、高功率、耐高压等特性的材料,已成为电动汽车、轨道交通、数据中心及电网等高压高功率应用领域的理想选择。然而,目前SiC产品和技术尚未大规模商用化应用,仍处于供不应求的阶段。其中,SiC衬底环节是量产的主要障碍,需要突破多项瓶颈。 IME与centrotherm的合作旨在结合IM
碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,因其独特的物理和化学性质,在光电子领域展现出巨大的应用潜力。本文将深入探讨SiC在光电子领域的应用,特别是其在紫外光探测器、高功率激光器和光纤放大器等方面的应用,并阐述SiC材料在高速、高频和高温光电子器件中的优势。 一、紫外光探测器 SiC作为一种宽带隙材料,对紫外光有较高的吸收系数和较低的暗电流,因此在紫外光探测器领域具有显著优势。SiC紫外光探测器在200-300纳米的波长范围内具有高灵敏度和快速响应速度,广泛应用于环境监测、生物医疗和空间探测等
在单片集成回路(SIC)领域,封装和测试是确保其性能和可靠性的关键环节。本文将介绍 SIC 的封装技术和测试方法,并探讨它们对性能和可靠性的影响。 一、SIC 的封装技术 SIC 的封装是指将单片集成电路(IC)固定在塑封料中,以保护 IC 并确保其能够与外部电路连接。常见的 SIC 封装技术包括: 陶瓷封装:陶瓷封装具有优良的绝缘性能和耐高温特性,常用于高可靠性应用。陶瓷封装的工艺包括将 IC 粘贴在基板上,然后用银浆或铜浆进行连接,最后进行密封。金属封装:金属封装具有良好的导热性和电磁屏蔽
在当今的电子技术领域,各种集成电路类型层出不穷,每种都有其独特的优点和应用场景。其中,碳化硅(SIC)集成电路凭借其卓越的性能、低功耗和高效能,正逐渐成为行业关注的焦点。本文将对SIC与其他集成电路在性能、功耗和成本等方面进行比较,以揭示SIC的竞争优势。 一、性能比较 SIC与硅基集成电路相比,具有更高的禁带宽度、临界击穿电场、热导率和饱和速度。这些优异的材料特性使得SIC在高温、高频率和高电压环境下具有出色的性能表现。此外,SIC的导通电阻比硅基材料低,这有助于减少能量损失并提高系统效率。
SIC将会发力智能车 01 碳化硅 碳化硅在功率半导体市场(尤其是电动汽车)中越来越受欢迎,但对于许多应用来说仍然过于昂贵。 原因很容易理解,但直到最近,碳化硅在很大程度上还是一种不够成熟技术,不值得投资。现在,随着对可在高压应用中工作的芯片的需求不断增长,SiC 受到了越来越多的关注。与硅功率器件的其他潜在替代品不同,SiC 具有熟悉的优势。 SiC 最初用于晶体收音机中的检测器二极管,是最早具有商业价值的半导体之一。商用 SiC JFET 自 2008 年起就已上市,在极端环境的电子产品中