高电流 相关话题

引言 在高电流背板应用中要求实现电路板的带电插拔，这就需要兼具低导通电阻 (在稳态操作期间) 和针对瞬态情况之高安全工作区 (SOA) 的 MOSFET。通常，专为拥有低导通电阻而优化的新式 MOSFET 并不适合高 SOA 热插拔应用。LTC®4234 是一款针对热插拔 (Hot Swap™) 应用的集成型解决方案，其允许电路板在带电背板上安全地插入和拔出。该器件把一个热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器集成在单个封装中，以满足小型化应用的要求。对 MOSFET 的安全工作区进

CA3018集成电路晶体管阵列的应用CA3018集成电路由四个硅外延晶体管组成，这些晶体管采用单芯片工艺制造，采用12引脚TO-5封装。四个有源器件，两个隔离晶体管和两个具有发射极 - 基极共用连接的晶体管，特别适用于需要紧密匹配器件特性的应用，或者其中许多有源器件必须与不可集成元件互连的应用，如作为调谐电路，大值电阻器，可变电阻器和微法陀螺旁路电容器。这些应用领域包括if，rf（通过100MHz），视频，agc，音频和DC放大器。由于CA3018具有器件平衡功能，因此在差分放大器的特殊应用中

1月29日，华为技术有限公司公布了一项新的专利申请，名为“半导体架构和制造半导体架构的方法”。该专利申请号为CN117461139A，提交日期为2021年6月。 据专利摘要所述，这种新型的半导体架构包括衬底、n型晶体管和p型晶体管。这些n型晶体管和p型晶体管均在衬底上形成。在半导体架构中，n型晶体管和p型晶体管中的每一个都包含多个指状子器件，每个指状子器件又由多个堆叠半导体组成。 更进一步的是，为n型晶体管和p型晶体管中的每一个设计的指状子器件中的一部分或全部被设计为叉形堆叠器件。这种叉形堆叠