SiC功率器件篇之SiC SBD
2024-08-251. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车的快速充电器等的功率因数校正电路(PFC电路)和整流桥电路中。 2. SiC-SBD的正向特性 SiC-