近期，西安交通大学的研究人员利用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术大规模生产了2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底。 研究团队通过精密控制成膜均匀性、温度场及流场，显著提升了异质外延单晶金刚石的成功率。此方法采用了台阶流式生长模式，可降低衬底缺陷密度，使晶体质量得到提升。XRD（004）、（311）摇摆曲线半峰宽分别低于91 arc sec和111 arc sec，达到国际先进水平。 金刚石半导体因其超宽带许、高压、高载流子饱和漂移速度和优良的热导率而被青睐，尤其是其卓越的器件品质因子，